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西门子MD型加速器DQ电路不DQ分析

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西门子MD型加速器DQ电路不DQ分析

西门子MD型加速器调制器采用直流谐振式电路。限流元件电感与仿真线高压电容构成直流谐振回路，其电感量为3H，高压电容C总容量为007μF。充电电感L另有DQ绕组。该电路利用电感和电容谐振现象，在电容C充电的前半周，电源经电感向电容充电，电感中的电流由零升至最大值IMAX，此时电感磁能也最大；因L中电流不能突变，其充电后半周是由L中的磁能释放继续向C充电，此时电感两端感应电势与前半周反相。电路设计为：在充电前半周DQ绕组给可控硅阳极负向偏压；在充电后半周，DQ绕组给可控硅阳极正向偏压。因此只有在充电的后半周期同时给可控硅触发信号，可控硅才能导通，DQ绕组才能释放多余的磁能，达到DQ的目的。因此加在可控硅两端的电压瞬时极性和触发信号的同步与非是DQ电路能否正常工作的关键。其LC谐振周期约3ms，根据不同的能量档，高压变压器输出不同高压，从而改变高压电容充电的电压，改变微波输出功率。低能、中能、高能三档的最大充电电流约为1.5A、2A、2.6A，高压电容单次充电时间约为1.25ms～1.5ms。改变PFN预置电压，DQ点应改变，DQ绕组中电流也有变化的，最大电流约为50A。在实际维修中，有如下几种情况该电路不能DQ。

1.DQ绕组的同名端接反
维修调制器或更换充电电感时，如把DQ绕组的同名端接反，当PFN电压达到预置值时，虽触发延时电路输出给可控硅触发信号，但因DQ绕组同名端接反，DQ绕组给可控硅反向偏置，虽有触发信号，但可控硅不能导通，故不能DQ。

2.PFN控制电压设备太低
高压电源对电容C充电，高压经取样与PFN预置电压比较。如PFN控制电压设置太低，在电容充电前半周，即有取样电压高于预置的PFN电压，比较延时电路输出的触发信号至可控硅，此时因可控硅阳极电压反向偏置，故不能DQ。

3.充电周期太短
当电感部分击穿时，因电感量减少，充电电流增大，充电周期缩短，虽然比较电路反转输出触发脉冲，但经延时600μs，至可控硅时，电容充电周期已结束，故不能DQ，此时充电电流明显高于正常值。

4.比较反馈电路或延时电路故障，在电容充电后半周，不能输出延迟触发脉冲至可控硅，电路也不能DQ。
以上几种情况均能通过示波器观测到充电波形。因不能DQ，此时仿真线高压电容充电将近2倍电源电压，此高压经脉冲变压器加至磁控管，会使磁控管电流达到150A。若CLIP O/C电路完好，将会立即保护，否则有可能损坏磁控管，这是很危险的，须引起重视。因此建议在检修调制器时，应将PFN参数与原参数作参考，应先使用低能档调机，以防控制电路某一部分故障而损坏贵重元器件。

时间：2007-06-27 00:00:00 来源：互联网作者：网络收集

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